창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA05JT12-263 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GA05JT12-263 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 106W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | - | |
패키지/케이스 | - | |
공급 장치 패키지 | - | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 1242-1184 GA05JT12-220ISO GA05JT12220ISO | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GA05JT12-263 | |
관련 링크 | GA05JT1, GA05JT12-263 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D2R1CXAAJ | 2.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R1CXAAJ.pdf | ||
MT100EOCG-G2-GP-SP | RF TXRX MOD CELLULAR/NAV U.FL | MT100EOCG-G2-GP-SP.pdf | ||
T495X106M035AS | T495X106M035AS KEMET SMD or Through Hole | T495X106M035AS.pdf | ||
LTE-329P4-M | LTE-329P4-M LITEON DIP-2 | LTE-329P4-M.pdf | ||
L1A9530 | L1A9530 DIGITAT QFP | L1A9530.pdf | ||
SBA50-09 | SBA50-09 SANYO TO220F | SBA50-09.pdf | ||
BCE35140 | BCE35140 NPC SMD or Through Hole | BCE35140.pdf | ||
H1FD4/12 | H1FD4/12 ORIGINAL SMD or Through Hole | H1FD4/12.pdf | ||
LT1765EFE18 | LT1765EFE18 LT TSSOP16 | LT1765EFE18.pdf | ||
1AZ6.8 | 1AZ6.8 TOS DO-41 | 1AZ6.8.pdf | ||
124K 0603 | 124K 0603 ORIGINAL SMD or Through Hole | 124K 0603.pdf | ||
2432C SL005 | 2432C SL005 ORIGINAL NEW | 2432C SL005.pdf |