창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA04JT17-247 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GA04JT17-247 | |
주요제품 | Silicon Carbide Transistor | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1700V(1.7kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc)(95°C) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 4A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 106W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AB | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 1242-1134 GA04JT17247 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GA04JT17-247 | |
관련 링크 | GA04JT1, GA04JT17-247 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
VHF36-14IO5 | RECT BRIDGE 1PH 1400V FO-F-A | VHF36-14IO5.pdf | ||
P1172.272NLT | 2.7µH Shielded Wirewound Inductor 9A 7.3 mOhm Max Nonstandard | P1172.272NLT.pdf | ||
3500-08K | 100µH Unshielded Inductor 188mA 3.8 Ohm Axial | 3500-08K.pdf | ||
TLC084M/BCAJC | TLC084M/BCAJC ORIGINAL DIP | TLC084M/BCAJC.pdf | ||
21RC100 | 21RC100 IR SCR | 21RC100.pdf | ||
GT123-20P-H16-LSS-P1000 | GT123-20P-H16-LSS-P1000 LS SMD or Through Hole | GT123-20P-H16-LSS-P1000.pdf | ||
YC358TJK-07-1K | YC358TJK-07-1K YAGEO SMD or Through Hole | YC358TJK-07-1K.pdf | ||
A397T | A397T GE MODULE | A397T.pdf | ||
MAX6387XS22D3+T | MAX6387XS22D3+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6387XS22D3+T.pdf | ||
828548-3 | 828548-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 828548-3.pdf | ||
21CFR1040.10.. | 21CFR1040.10.. TYCO SMD or Through Hole | 21CFR1040.10...pdf | ||
2SC2757 T33 | 2SC2757 T33 DIS SOT-123 | 2SC2757 T33.pdf |