홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » GA03JT12-247

GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247

GA03JT12-247
제조업체 부품 번호
GA03JT12-247
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
GA03JT12-247 가격 및 조달

가능 수량

8771 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 5,652.50400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 GA03JT12-247 재고가 있습니다. 우리는 GeneSiC Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 GeneSiC Semiconductor 전자 부품 전문. GA03JT12-247 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GA03JT12-247가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
GA03JT12-247 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
GA03JT12-247 매개 변수
내부 부품 번호EIS-GA03JT12-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서GA03JT12-247
설계 리소스GA03JT12-247 Spice Model
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형접합 트랜지스터, 상시 꺼짐
FET 특징실리콘 카바이드(SiC)
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3A(Tc)(95°C)
Rds On(최대) @ Id, Vgs460m옴 @ 3A
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대91W
작동 온도175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247AB
표준 포장 30
다른 이름1242-1164
GA03JT12247
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)GA03JT12-247
관련 링크GA03JT1, GA03JT12-247 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
GA03JT12-247 의 관련 제품
100nH Shielded Inductor 1A 30 mOhm Max 2-SMD 4379-101HS.pdf
RES SMD 110K OHM 1% 1/10W 0603 RT0603FRE07110KL.pdf
RES SMD 14K OHM 1% 1/10W 0402 MCS04020C1402FE000.pdf
GS1Ae3/TR13 Microsemi DO-214AC GS1Ae3/TR13.pdf
2N376 MOT TO-3 2N376.pdf
LST670-J2L1-1 OOS DIPSOP LST670-J2L1-1.pdf
G6BU-2114P-5V OMRON SMD or Through Hole G6BU-2114P-5V.pdf
PHP34NQ11T-01 NXP TO-220 PHP34NQ11T-01.pdf
GS002-72 ORIGINAL SOP8 GS002-72 .pdf
SMBJ10A-E3/61 VISHAY DO-214AA(SMB) SMBJ10A-E3/61.pdf
AOD4130/Z8066 ORIGINAL TO-252 AOD4130/Z8066.pdf
SA9602WSA PHI SOP20 SA9602WSA.pdf