창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G6J-2FL-3V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G6J-2FL-3V | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G6J-2FL-3V | |
| 관련 링크 | G6J-2F, G6J-2FL-3V 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F52013IDR | 52MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52013IDR.pdf | |
![]() | CDR105BNP-151KC | 150µH Shielded Inductor 550mA 510 mOhm Max Nonstandard | CDR105BNP-151KC.pdf | |
![]() | RT1210CRB072K49L | RES SMD 2.49KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB072K49L.pdf | |
![]() | CMF6028K000FKR670 | RES 28K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6028K000FKR670.pdf | |
![]() | 74LS669P | 74LS669P HD DIP-16 | 74LS669P.pdf | |
![]() | PCF8581T1 | PCF8581T1 NXP SOP8 | PCF8581T1.pdf | |
![]() | MT47H32M8BP-3:B TR | MT47H32M8BP-3:B TR MicronTechnologyInc 60-FBGA | MT47H32M8BP-3:B TR.pdf | |
![]() | FAR-C4CN-08000-M02-R | FAR-C4CN-08000-M02-R FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-C4CN-08000-M02-R.pdf | |
![]() | ADM708ARM-ERRL | ADM708ARM-ERRL AD SSOP-8 | ADM708ARM-ERRL.pdf | |
![]() | 1997-03-01 | 35490 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1997-03-01.pdf | |
![]() | LH2108D | LH2108D ORIGINAL SMD or Through Hole | LH2108D.pdf |