창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-G6B-2014P-FD-US DC12V | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | G6B-2014P-FD-US DC12V | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | G6B-2014P-FD-US DC12V | |
관련 링크 | G6B-2014P-FD, G6B-2014P-FD-US DC12V 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
ECW-F6364HL | 0.36µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.807" L x 0.469" W (20.50mm x 11.90mm) | ECW-F6364HL.pdf | ||
DPFF12S33J-F | 0.033µF Film Capacitor 475V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.701" L x 0.630" W (43.20mm x 16.00mm) | DPFF12S33J-F.pdf | ||
TC-12.288MDD-T | 12.288MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TC-12.288MDD-T.pdf | ||
IMC1812BN101J | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 8 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN101J.pdf | ||
FBR46NG024-P | FBR46NG024-P FUJITSU/ DIP | FBR46NG024-P.pdf | ||
NS6L183 | NS6L183 NICHIA ROHS | NS6L183.pdf | ||
7635FA2 | 7635FA2 B SMD-8 | 7635FA2.pdf | ||
SG2525DW | SG2525DW LINFINIF SOP16 | SG2525DW.pdf | ||
MAX4173TELA | MAX4173TELA MAX NA | MAX4173TELA.pdf | ||
XC3120A-4C | XC3120A-4C XILINX PLCC68 | XC3120A-4C.pdf | ||
1812X7R102K2KVTRP | 1812X7R102K2KVTRP NIC SMD or Through Hole | 1812X7R102K2KVTRP.pdf | ||
B4GA012Z | B4GA012Z ORIGINAL SMD or Through Hole | B4GA012Z.pdf |