창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G6B-1114P-FD-US-M-12VDC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G6B-1114P-FD-US-M-12VDC | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G6B-1114P-FD-US-M-12VDC | |
| 관련 링크 | G6B-1114P-FD-, G6B-1114P-FD-US-M-12VDC 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 1676858-3 | 0.68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 1676858-3.pdf | |
![]() | SIT8008BI-12-33E-12.300000E | OSC XO 3.3V 12.3MHZ OE | SIT8008BI-12-33E-12.300000E.pdf | |
![]() | S0402-10NF2E | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-10NF2E.pdf | |
![]() | CPL10R0800FB14 | RES 0.08 OHM 10W 1% AXIAL | CPL10R0800FB14.pdf | |
![]() | K683K15X7RF5.L2 | K683K15X7RF5.L2 VISHAY DIP | K683K15X7RF5.L2.pdf | |
![]() | M5M4256S-15 | M5M4256S-15 MIT DIP | M5M4256S-15.pdf | |
![]() | 1DI200G-120 | 1DI200G-120 FUJI SMD or Through Hole | 1DI200G-120.pdf | |
![]() | LP5900TL-2.8 NOPB | LP5900TL-2.8 NOPB NS SMD-4 | LP5900TL-2.8 NOPB.pdf | |
![]() | PF1S36 | PF1S36 PANASONIC SMD or Through Hole | PF1S36.pdf | |
![]() | BCR8LM14LB | BCR8LM14LB RENESAS TO220F | BCR8LM14LB.pdf | |
![]() | AN82527F8,ST111 | AN82527F8,ST111 INTEL SMD or Through Hole | AN82527F8,ST111.pdf | |
![]() | TLP120GR-TPL,F | TLP120GR-TPL,F TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP120GR-TPL,F.pdf |