창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G4V-1-E-12VDC/24V/5V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G4V-1-E-12VDC/24V/5V | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G4V-1-E-12VDC/24V/5V | |
| 관련 링크 | G4V-1-E-12VD, G4V-1-E-12VDC/24V/5V 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
|  | TM3B156M016EBA | 15µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 2 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TM3B156M016EBA.pdf | |
|  | 4-1879064-7 | 1.5µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2312 (6032 Metric) 1.5 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 4-1879064-7.pdf | |
|  | 416F26035CDR | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26035CDR.pdf | |
|  | 1269AS-H-4R7M=P2 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | 1269AS-H-4R7M=P2.pdf | |
|  | 3100U00830039 | HERMETIC THERMOSTAT | 3100U00830039.pdf | |
|  | PIC18F2221-E/SS | PIC18F2221-E/SS MICROCHIP SSOP28 | PIC18F2221-E/SS.pdf | |
|  | PRJ-010 | PRJ-010 PPT SMD or Through Hole | PRJ-010.pdf | |
|  | SGA2363TR1 | SGA2363TR1 ORIGINAL SMD or Through Hole | SGA2363TR1.pdf | |
|  | 0986-2A | 0986-2A FAI DIP-8 | 0986-2A.pdf | |
|  | 8832SB | 8832SB TECHNICS SOP | 8832SB.pdf | |
|  | TC7W32FU TEL:82766440 | TC7W32FU TEL:82766440 TOSHIBA SOT-8 | TC7W32FU TEL:82766440.pdf |