창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FZT851TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FZT851 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1461 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 375mV @ 300mA, 6A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 130MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | FZT851TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FZT851TA | |
| 관련 링크 | FZT8, FZT851TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1841215136W | 1500pF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP1841215136W.pdf | |
![]() | 416F26013CAT | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26013CAT.pdf | |
![]() | RR01JR68TB | RES 0.68 OHM 1W 5% AXIAL | RR01JR68TB.pdf | |
![]() | KRC4381-5 | KRC4381-5 IDEA DIP | KRC4381-5.pdf | |
![]() | JE-1500-4920-1 | JE-1500-4920-1 M SMD or Through Hole | JE-1500-4920-1.pdf | |
![]() | UPD789101AMC(A1)-A03-5A4 | UPD789101AMC(A1)-A03-5A4 NEC TSSOP | UPD789101AMC(A1)-A03-5A4.pdf | |
![]() | LM86CIMX-3 | LM86CIMX-3 NSC DIPSOP | LM86CIMX-3.pdf | |
![]() | TPA6020A2 | TPA6020A2 TI QFN | TPA6020A2.pdf | |
![]() | ADP3419JRM(P9B) | ADP3419JRM(P9B) AD MSOP10 | ADP3419JRM(P9B).pdf | |
![]() | 10K,20K,50K | 10K,20K,50K ORIGINAL SMD or Through Hole | 10K,20K,50K.pdf | |
![]() | ERA-11SM+ | ERA-11SM+ Mini-Circuits SMT86 | ERA-11SM+.pdf |