창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FST50100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FST5080-50100 | |
| 카탈로그 페이지 | 1627 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 25A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 850mV @ 25A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 100V | |
| 실장 유형 | 스루홀, 방사 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FST50100 | |
| 관련 링크 | FST5, FST50100 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VLS252012CX-3R3M | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.53A 137 mOhm Max Nonstandard | VLS252012CX-3R3M.pdf | |
![]() | PU5931FKNT50U3L | RES SMD 0.0003 OHM 1% 5W 5931 | PU5931FKNT50U3L.pdf | |
![]() | DP11VN15B30K | DP11 VER 15P NDET 30K M7*7MM | DP11VN15B30K.pdf | |
![]() | B41858D5478M000 | B41858D5478M000 EPCOS DIP | B41858D5478M000.pdf | |
![]() | M16210T62PAA10T | M16210T62PAA10T LUCENT QFP | M16210T62PAA10T.pdf | |
![]() | TC7SB384FU TEL:82766440 | TC7SB384FU TEL:82766440 TOSHIBA SC70-5 | TC7SB384FU TEL:82766440.pdf | |
![]() | LFC453232T-3R3M-PF | LFC453232T-3R3M-PF TDK SMD | LFC453232T-3R3M-PF.pdf | |
![]() | MAX4383EUD+ | MAX4383EUD+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX4383EUD+.pdf | |
![]() | CY7C512-45WMB | CY7C512-45WMB CYPRESS DIP | CY7C512-45WMB.pdf | |
![]() | DB-5R5D104,0.1F | DB-5R5D104,0.1F ELNA SMD or Through Hole | DB-5R5D104,0.1F.pdf | |
![]() | IPB091N06N G | IPB091N06N G INFINEON TO263-3 | IPB091N06N G.pdf | |
![]() | KQ0805TER18J R18-0805 | KQ0805TER18J R18-0805 KOA SMD or Through Hole | KQ0805TER18J R18-0805.pdf |