창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQT5P10TF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQT5P10 MA04A Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FQT5P10TF-ND FQT5P10TFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQT5P10TF | |
관련 링크 | FQT5P, FQT5P10TF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SMH100VS272M30X35T2 | 2700µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 92 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMH100VS272M30X35T2.pdf | |
![]() | 1808GC330KAT1A | 33pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GC330KAT1A.pdf | |
![]() | HAL815-A | HAL815-A MICRONAS TO-92S | HAL815-A.pdf | |
![]() | KS51800-1S | KS51800-1S SAMSUNG SOP24 | KS51800-1S.pdf | |
![]() | NJM2561F | NJM2561F JRC SOT23-6 | NJM2561F.pdf | |
![]() | ATC-7970Q | ATC-7970Q ADAPTEC QFP144 | ATC-7970Q.pdf | |
![]() | LFAVAN0054196 | LFAVAN0054196 OTHER SMD or Through Hole | LFAVAN0054196.pdf | |
![]() | AQ1051N8J | AQ1051N8J TAIYO SMD | AQ1051N8J.pdf | |
![]() | 2.2UF 16V | 2.2UF 16V KEMET SMD or Through Hole | 2.2UF 16V.pdf | |
![]() | EL0405SKI-6R8K-3 | EL0405SKI-6R8K-3 TDK SMD or Through Hole | EL0405SKI-6R8K-3.pdf | |
![]() | 74HC151SCX | 74HC151SCX F SMD or Through Hole | 74HC151SCX.pdf | |
![]() | MIC809MU NOPB | MIC809MU NOPB MIC SOT23 | MIC809MU NOPB.pdf |