창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQT4N25TF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQT4N25 MA04A Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 830mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.75옴 @ 415mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | FQT4N25TF-ND FQT4N25TFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQT4N25TF | |
| 관련 링크 | FQT4N, FQT4N25TF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TMCUA1D225MTR | TMCUA1D225MTR HITACHI 2.2U20V | TMCUA1D225MTR.pdf | |
![]() | VCT3834B-QH-D6MI11-T | VCT3834B-QH-D6MI11-T Micronas SMD or Through Hole | VCT3834B-QH-D6MI11-T.pdf | |
![]() | HC573FPTR | HC573FPTR TOSHIBA SOP-20 | HC573FPTR.pdf | |
![]() | MSA1005 | MSA1005 MORNSUN DIP | MSA1005.pdf | |
![]() | BNCRA750HMS | BNCRA750HMS AMP SOP | BNCRA750HMS.pdf | |
![]() | DFCH3888MHDJAARF1 | DFCH3888MHDJAARF1 MUR SMD or Through Hole | DFCH3888MHDJAARF1.pdf | |
![]() | 1.5UF35V/B | 1.5UF35V/B NEC SMD | 1.5UF35V/B.pdf | |
![]() | APW7057K | APW7057K ANPEC SOP | APW7057K.pdf | |
![]() | M35080MN | M35080MN ORIGINAL SMD or Through Hole | M35080MN.pdf | |
![]() | S-8354D20MC-JUFT2G | S-8354D20MC-JUFT2G SEIKO SOT23-5 | S-8354D20MC-JUFT2G.pdf |