창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQT1N60CTF_WS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQT1N60C MA04A Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.5옴 @ 100mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FQT1N60CTF_WSTR FQT1N60CTFWS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQT1N60CTF_WS | |
관련 링크 | FQT1N60, FQT1N60CTF_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
K221K10C0GF5TH5 | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K221K10C0GF5TH5.pdf | ||
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VJ0805D1R9BLBAJ | 1.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R9BLBAJ.pdf | ||
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NL201614T-8R2J-N | NL201614T-8R2J-N ORIGINAL SMD or Through Hole | NL201614T-8R2J-N.pdf | ||
K4S640432C-TL10 | K4S640432C-TL10 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S640432C-TL10.pdf | ||
AD600KR | AD600KR ADI SMD or Through Hole | AD600KR.pdf |