창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF8N90C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP(F)8N90C | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF8N90C | |
| 관련 링크 | FQPF8, FQPF8N90C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RMCF0603JG560R | RES SMD 560 OHM 5% 1/10W 0603 | RMCF0603JG560R.pdf | |
![]() | RNF14FTC16K5 | RES 16.5K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC16K5.pdf | |
![]() | CM3121-02SB | CM3121-02SB CMD SOP8 | CM3121-02SB.pdf | |
![]() | 3006p-7-501lf | 3006p-7-501lf bourns SMD or Through Hole | 3006p-7-501lf.pdf | |
![]() | 134D477X0050T6-PB | 134D477X0050T6-PB SPP SMD or Through Hole | 134D477X0050T6-PB.pdf | |
![]() | BT1211KPJ80 | BT1211KPJ80 CONEXANT PLCC-68 | BT1211KPJ80.pdf | |
![]() | MB90372 | MB90372 FUJITSU QFP | MB90372.pdf | |
![]() | HDT725032VLA360 | HDT725032VLA360 HitachiSemiconduc SMD or Through Hole | HDT725032VLA360.pdf | |
![]() | PEF4256VV2.1 | PEF4256VV2.1 INFINEON QFN | PEF4256VV2.1.pdf | |
![]() | 000-6181-37R-LF1 | 000-6181-37R-LF1 WE-MIDCOM SMD-14 | 000-6181-37R-LF1.pdf | |
![]() | ASML-18.432MHZ-E-T | ASML-18.432MHZ-E-T abracon SMD or Through Hole | ASML-18.432MHZ-E-T.pdf |