창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP9N90C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP9N90C, FQPF9N90C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 205W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQP9N90C-ND FQP9N90CFS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP9N90C | |
관련 링크 | FQP9, FQP9N90C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D200FXBAJ | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D200FXBAJ.pdf | |
![]() | SIT9001AI-23-33E4-24.57600T | OSC XO 3.3V 24.576MHZ OE -2.0% | SIT9001AI-23-33E4-24.57600T.pdf | |
![]() | SIT9003AI-83-33EO-66.66660Y | OSC XO 3.3V 66.6666MHZ OE -0.50% | SIT9003AI-83-33EO-66.66660Y.pdf | |
![]() | LAA126E | LAA126E CPClare SOP8 | LAA126E.pdf | |
![]() | ICL7664ACJA | ICL7664ACJA MAXIM CDIP8 | ICL7664ACJA.pdf | |
![]() | X1852AAH | X1852AAH ST DIP-8P | X1852AAH.pdf | |
![]() | STR2012-TSTU | STR2012-TSTU SANKEN IC | STR2012-TSTU.pdf | |
![]() | LTLS TEL:82766440 | LTLS TEL:82766440 LT MSOP8 | LTLS TEL:82766440.pdf | |
![]() | LTC4300A-3IMS8#TRP | LTC4300A-3IMS8#TRP LT MSOP-8 | LTC4300A-3IMS8#TRP.pdf | |
![]() | BLV935H | BLV935H PHI SMD or Through Hole | BLV935H.pdf | |
![]() | FR007 | FR007 LEG QFN16 | FR007.pdf | |
![]() | MX7531JQ | MX7531JQ MAX DIP18 | MX7531JQ.pdf |