창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP6N80C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP(F)6N80C TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 2.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 158W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP6N80C | |
| 관련 링크 | FQP6, FQP6N80C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CSD17575Q3T | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | CSD17575Q3T.pdf | |
![]() | RT0805BRB07412KL | RES SMD 412K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB07412KL.pdf | |
![]() | R6670-33 | R6670-33 ORIGINAL PLCC | R6670-33.pdf | |
![]() | PT7C5022B5ATAE | PT7C5022B5ATAE PTI SOT23-6 | PT7C5022B5ATAE.pdf | |
![]() | P16C509C-1L | P16C509C-1L n/a TSSOP24 | P16C509C-1L.pdf | |
![]() | KFG1216U2A-DIBBO | KFG1216U2A-DIBBO SAMSUNG SMD or Through Hole | KFG1216U2A-DIBBO.pdf | |
![]() | AZ1085S-1.5TRE1 | AZ1085S-1.5TRE1 BCD TO-263 | AZ1085S-1.5TRE1.pdf | |
![]() | SG-105LF | SG-105LF KODENSHI/AUK DIP | SG-105LF.pdf | |
![]() | ISPLSI2032V | ISPLSI2032V Lattice QFP | ISPLSI2032V.pdf | |
![]() | sst89e52rd40-C-PI | sst89e52rd40-C-PI SST DIP-40 | sst89e52rd40-C-PI.pdf | |
![]() | ER2N-LP-N-CS-230VAC | ER2N-LP-N-CS-230VAC IMO SMD or Through Hole | ER2N-LP-N-CS-230VAC.pdf | |
![]() | T491V107K016A | T491V107K016A KEMET SMD | T491V107K016A.pdf |