창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP5N60C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP5N60C, FQPF5N60C TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 2.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP5N60C | |
| 관련 링크 | FQP5, FQP5N60C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW08052K20JNEAHP | RES SMD 2.2K OHM 5% 1/2W 0805 | CRCW08052K20JNEAHP.pdf | |
![]() | AC0402JR-071K6L | RES SMD 1.6K OHM 5% 1/16W 0402 | AC0402JR-071K6L.pdf | |
![]() | CMF601K2700FKR6 | RES 1.27K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K2700FKR6.pdf | |
![]() | CMF55604K00BEEB70 | RES 604K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55604K00BEEB70.pdf | |
![]() | SDM863SH/883 | SDM863SH/883 BB PGA | SDM863SH/883.pdf | |
![]() | S2919CIF10TF | S2919CIF10TF SEIKO SMD or Through Hole | S2919CIF10TF.pdf | |
![]() | 1206/6K82 | 1206/6K82 ORIGINAL SMD | 1206/6K82.pdf | |
![]() | 3SK254-T2 | 3SK254-T2 ORIGINAL SO23-5 | 3SK254-T2 .pdf | |
![]() | ESD9L5.0ST1G | ESD9L5.0ST1G ON SOD923 | ESD9L5.0ST1G.pdf | |
![]() | AMZV0050K47300200 | AMZV0050K47300200 NISSEI SMD or Through Hole | AMZV0050K47300200.pdf | |
![]() | PO3B512A | PO3B512A POTATO SMD or Through Hole | PO3B512A.pdf |