창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP47P06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP47P06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 23.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP47P06 | |
관련 링크 | FQP4, FQP47P06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
1812WA470KAT1A\SB | 47pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WA470KAT1A\SB.pdf | ||
1N4002G | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | 1N4002G.pdf | ||
768143124GPTR13 | RES ARRAY 7 RES 120K OHM 14SOIC | 768143124GPTR13.pdf | ||
SG-9CNR | SG-9CNR SANKEN DIP | SG-9CNR.pdf | ||
MIC4680-33BM | MIC4680-33BM MICREL SOP | MIC4680-33BM.pdf | ||
DMN2075UTS | DMN2075UTS DIODES SMD or Through Hole | DMN2075UTS.pdf | ||
52885-1672 | 52885-1672 MOLEX SMD or Through Hole | 52885-1672.pdf | ||
233056-06 | 233056-06 Qualtek SMD or Through Hole | 233056-06.pdf | ||
BTS5577G | BTS5577G infineon DSO-36 | BTS5577G.pdf | ||
MDA3502 | MDA3502 MOTOROLA SMD or Through Hole | MDA3502.pdf | ||
BZX55C6V8D7 | BZX55C6V8D7 vishay INSTOCKPACK10000 | BZX55C6V8D7.pdf | ||
1.3W56V | 1.3W56V FANGAO/ON/ST/VISHAY SMD DIP | 1.3W56V.pdf |