창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP46N15 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP46N15 TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 22.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 210W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP46N15 | |
| 관련 링크 | FQP4, FQP46N15 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT1210BRD072K7L | RES SMD 2.7K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD072K7L.pdf | |
![]() | CMF55820R00FKRE39 | RES 820 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55820R00FKRE39.pdf | |
![]() | TLJB476M016R0500 | TLJB476M016R0500 AVX SMD | TLJB476M016R0500.pdf | |
![]() | LMX2364LEX | LMX2364LEX NS UCSP-24 | LMX2364LEX.pdf | |
![]() | 35300 | 35300 TC DIP | 35300.pdf | |
![]() | ML2841 | ML2841 OKI SMD or Through Hole | ML2841.pdf | |
![]() | BZW03C12 | BZW03C12 vishay/PH SOD64 | BZW03C12.pdf | |
![]() | RV-50V331MIE-R5 | RV-50V331MIE-R5 ELNA SMD or Through Hole | RV-50V331MIE-R5.pdf | |
![]() | XRT83VSH314IBCDE. | XRT83VSH314IBCDE. EXAR SMD or Through Hole | XRT83VSH314IBCDE..pdf | |
![]() | HGTG15N120C3 | HGTG15N120C3 INTERSIL TO-247 | HGTG15N120C3.pdf | |
![]() | N82LS135F | N82LS135F S CDIP20 | N82LS135F.pdf | |
![]() | FHT807-25 | FHT807-25 FH SOT-23 | FHT807-25.pdf |