창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP45N15V2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP45N15V2, FQPF45N15V2 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 22.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3030pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 220W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP45N15V2 | |
관련 링크 | FQP45N, FQP45N15V2 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
416F30022CKT | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30022CKT.pdf | ||
SIT1618BE-13-33E-48.000000E | OSC XO 3.3V 48MHZ OE | SIT1618BE-13-33E-48.000000E.pdf | ||
HSM390GE3/TR13 | DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO215AB | HSM390GE3/TR13.pdf | ||
SBJ100505-102Y-ND-C | SBJ100505-102Y-ND-C ORIGINAL SMD or Through Hole | SBJ100505-102Y-ND-C.pdf | ||
2N5401B | 2N5401B CJ TO-92 | 2N5401B.pdf | ||
IDTCSP2510DPGG8 | IDTCSP2510DPGG8 IDT SMD or Through Hole | IDTCSP2510DPGG8.pdf | ||
55451/55452/55453 | 55451/55452/55453 ORIGINAL SMD or Through Hole | 55451/55452/55453.pdf | ||
AD610L | AD610L AD SMD or Through Hole | AD610L.pdf | ||
DS415119 | DS415119 CLARE DIP4 | DS415119.pdf | ||
AIC1722A-27PXATR | AIC1722A-27PXATR AIC/ SOT-89 | AIC1722A-27PXATR.pdf | ||
21R3LASB41 | 21R3LASB41 RAGEXL BGA | 21R3LASB41.pdf | ||
8-719-058-38 | 8-719-058-38 SNY N A | 8-719-058-38.pdf |