창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP27P06 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP27P06 TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 120W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP27P06 | |
| 관련 링크 | FQP2, FQP27P06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | K182M15X7RL5TH5 | 1800pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K182M15X7RL5TH5.pdf | |
![]() | D51V65805E-60 | D51V65805E-60 OKI TSOP | D51V65805E-60.pdf | |
![]() | STB33N10E | STB33N10E ONSEMI SMD or Through Hole | STB33N10E.pdf | |
![]() | SDC-C3 | SDC-C3 SYNERGY SMD or Through Hole | SDC-C3.pdf | |
![]() | KAL000015M-B3TT | KAL000015M-B3TT SAMSUNG BGA | KAL000015M-B3TT.pdf | |
![]() | HD74AC244FPEL | HD74AC244FPEL HIT SOP5.2MM | HD74AC244FPEL.pdf | |
![]() | MS2014BA | MS2014BA GPS DIP | MS2014BA.pdf | |
![]() | NCC-KMG25VB100ME1-6.3X11 | NCC-KMG25VB100ME1-6.3X11 NCC SMD or Through Hole | NCC-KMG25VB100ME1-6.3X11.pdf | |
![]() | 67020-001LF | 67020-001LF FCI SMD or Through Hole | 67020-001LF.pdf | |
![]() | LM4550BVHX/NOPBL | LM4550BVHX/NOPBL NS QFP | LM4550BVHX/NOPBL.pdf | |
![]() | SSML613TU | SSML613TU ORIGINAL SOT363 | SSML613TU.pdf |