창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP19N20C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP19N20C, FQPF19N20C TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 139W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP19N20C | |
| 관련 링크 | FQP19, FQP19N20C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | LP0603A0902ANTR | FILTER LOW PASS 902MHZ 0603 SMD | LP0603A0902ANTR.pdf | |
![]() | RG1608P-1180-D-T5 | RES SMD 118 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-1180-D-T5.pdf | |
![]() | S1ME363T | S1ME363T gs SMD or Through Hole | S1ME363T.pdf | |
![]() | MCM6208P20 | MCM6208P20 ON/MOT DIP24 | MCM6208P20.pdf | |
![]() | 103HTF-3P-TF | 103HTF-3P-TF SEMITEC 1206 | 103HTF-3P-TF.pdf | |
![]() | TA8759AE | TA8759AE ORIGINAL DIP | TA8759AE.pdf | |
![]() | LTC1334ISW#TR | LTC1334ISW#TR LINEAR SOP28 | LTC1334ISW#TR.pdf | |
![]() | DS40MB200SQ+ | DS40MB200SQ+ NSC SOP | DS40MB200SQ+.pdf | |
![]() | K7R643684M-FI25 | K7R643684M-FI25 SAMSUNG BGA | K7R643684M-FI25.pdf | |
![]() | SM325QX0700EN-AA | SM325QX0700EN-AA SMI N A | SM325QX0700EN-AA.pdf |