창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP17P10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP17P10 TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP17P10 | |
| 관련 링크 | FQP1, FQP17P10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECC-D3A680JGE | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL/GP 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | ECC-D3A680JGE.pdf | |
![]() | SIT9121AC-1D3-25E102.400000T | OSC XO 2.5V 102.4MHZ OE | SIT9121AC-1D3-25E102.400000T.pdf | |
![]() | R5220K231A | R5220K231A RICOH DFN(PLP)2514-6 | R5220K231A.pdf | |
![]() | SE2000 | SE2000 ORIGINAL DIP | SE2000.pdf | |
![]() | P50X01LBCD | P50X01LBCD ORIGINAL N A | P50X01LBCD.pdf | |
![]() | HMC182S | HMC182S ORIGINAL SMD | HMC182S.pdf | |
![]() | BFP520-E6327 | BFP520-E6327 INFINEON SOT-34 | BFP520-E6327.pdf | |
![]() | G8P-1C2TP-24V | G8P-1C2TP-24V OMRON SMD or Through Hole | G8P-1C2TP-24V.pdf | |
![]() | hx--28 | hx--28 ORIGINAL SMD or Through Hole | hx--28.pdf | |
![]() | MHW5222R | MHW5222R MOT CATV | MHW5222R.pdf | |
![]() | D23C16000WG5M45 | D23C16000WG5M45 NEC TSOP | D23C16000WG5M45.pdf |