창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP13N50C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP13N50C, FQPF13N50C TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 14/May/2008 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2055pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 195W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP13N50C | |
| 관련 링크 | FQP13, FQP13N50C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | P6KE150 | TVS DIODE 128VWM 217.35VC DO15 | P6KE150.pdf | |
![]() | CRG1206F6K81 | RES SMD 6.81K OHM 1% 1/4W 1206 | CRG1206F6K81.pdf | |
![]() | PWR2615WR050J | RES SMD 0.05 OHM 5% 1W 2615 | PWR2615WR050J.pdf | |
![]() | Y008922K9000AR23R | RES 22.9K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y008922K9000AR23R.pdf | |
![]() | P51-750-S-F-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-750-S-F-MD-5V-000-000.pdf | |
![]() | IRLU8203PBF | IRLU8203PBF IR TO-252 | IRLU8203PBF.pdf | |
![]() | 931267-2 | 931267-2 STC SOP14 | 931267-2.pdf | |
![]() | ICS96006AFLF | ICS96006AFLF ICS SSOP48 | ICS96006AFLF.pdf | |
![]() | LP8345CLDX-2.5NOPB | LP8345CLDX-2.5NOPB NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | LP8345CLDX-2.5NOPB.pdf | |
![]() | IRF1010EZSPBF-IR | IRF1010EZSPBF-IR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF1010EZSPBF-IR.pdf | |
![]() | MAX08EQ | MAX08EQ AD DIP | MAX08EQ.pdf | |
![]() | ZTA2.0M | ZTA2.0M ORIGINAL DIP-2P | ZTA2.0M.pdf |