창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD6N25TM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQD6N25, FQU6N25 D-PAK Tape and Reel Data | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD6N25TM-ND FQD6N25TMFSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQD6N25TM | |
관련 링크 | FQD6N, FQD6N25TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
FNM-30 | FUSE CARTRIDGE 30A 250VAC 5AG | FNM-30.pdf | ||
TMOV34S351MP | VARISTOR 560V 40KA SQUARE 34MM | TMOV34S351MP.pdf | ||
CPW105R100JB14 | RES 5.1 OHM 10W 5% AXIAL | CPW105R100JB14.pdf | ||
AMS3057-16A | AMS3057-16A PLT SMD or Through Hole | AMS3057-16A.pdf | ||
1806L | 1806L TI SOP8 | 1806L.pdf | ||
TQ2SL-12V-H31 | TQ2SL-12V-H31 ORIGINAL RELAY | TQ2SL-12V-H31.pdf | ||
CAT5409UI-10 | CAT5409UI-10 Catalyst TSSOP24 | CAT5409UI-10.pdf | ||
QSMA-A435-ZACM1 | QSMA-A435-ZACM1 ORIGINAL SMD or Through Hole | QSMA-A435-ZACM1.pdf | ||
SV6P4016UFA-70I | SV6P4016UFA-70I DIVERS SMD or Through Hole | SV6P4016UFA-70I.pdf | ||
MAX3227EIDBR | MAX3227EIDBR ORIGINAL SSOP16 | MAX3227EIDBR.pdf | ||
ESW226M010AC3AA | ESW226M010AC3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESW226M010AC3AA.pdf | ||
12-21/GHC-YR2S2-2C | 12-21/GHC-YR2S2-2C Everlight SMD or Through Hole | 12-21/GHC-YR2S2-2C.pdf |