창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD2N60CTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQD2N60C, FQU2N60C D-PAK Tape and Reel Data | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 14/May/2008 Datasheet Chg 07/Dec/2015 Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7옴 @ 950mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 235pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD2N60CTM-ND FQD2N60CTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQD2N60CTM | |
관련 링크 | FQD2N6, FQD2N60CTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
RG3216P-2742-B-T5 | RES SMD 27.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2742-B-T5.pdf | ||
Q33636E41028200 | Q33636E41028200 EPSON SMD DIP | Q33636E41028200.pdf | ||
LTM4601AIV-1 | LTM4601AIV-1 LT LGA133 | LTM4601AIV-1.pdf | ||
HAL1820SF-A-4-R-1-00 | HAL1820SF-A-4-R-1-00 Micronas SMD or Through Hole | HAL1820SF-A-4-R-1-00.pdf | ||
LM4040BIM3-3.0/NOPB | LM4040BIM3-3.0/NOPB NS/ SOT23-3 | LM4040BIM3-3.0/NOPB.pdf | ||
BYX132G | BYX132G PHILIPS SMD or Through Hole | BYX132G.pdf | ||
LBC32B2450A2 | LBC32B2450A2 SAMSUNG SMD or Through Hole | LBC32B2450A2.pdf | ||
MC68HC11C1FN3 | MC68HC11C1FN3 MOTOROLA PLCC-44 | MC68HC11C1FN3.pdf | ||
MHW807-2 | MHW807-2 MOTOROLA SMD or Through Hole | MHW807-2.pdf | ||
RJJ-100V181MJ5EG | RJJ-100V181MJ5EG ELNA DIP | RJJ-100V181MJ5EG.pdf | ||
QES036ZB-AT9 | QES036ZB-AT9 POWER SMD or Through Hole | QES036ZB-AT9.pdf |