창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD13N10TM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQD13N10 D-PAK Tape and Reel Data | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD13N10TM-ND FQD13N10TMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQD13N10TM | |
관련 링크 | FQD13N, FQD13N10TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
AQ149M151JAJME | 150pF 300V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ149M151JAJME.pdf | ||
KTD101B475M43A0T00 | 4.7µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.256" L x 0.157" W(6.50mm x 4.00mm) | KTD101B475M43A0T00.pdf | ||
CDV30FJ432GO3F | MICA | CDV30FJ432GO3F.pdf | ||
RN73C1J825RBTG | RES SMD 825 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J825RBTG.pdf | ||
RNX 020 | RNX 020 ORIGINAL SSOP | RNX 020.pdf | ||
MCL4148_R2_10001 | MCL4148_R2_10001 PANJIT SMD or Through Hole | MCL4148_R2_10001.pdf | ||
TLP621(D4-GRHT) | TLP621(D4-GRHT) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP621(D4-GRHT).pdf | ||
PA16B | PA16B DSP QFN | PA16B.pdf | ||
COP68HC68P1 | COP68HC68P1 HARRIS SOP14 | COP68HC68P1.pdf | ||
BR29 | BR29 PANJIT DO-214 | BR29.pdf | ||
2SC3838G | 2SC3838G UTC/ SOT-323TR | 2SC3838G.pdf |