Fairchild Semiconductor FQB8N90CTM

FQB8N90CTM
제조업체 부품 번호
FQB8N90CTM
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
FQB8N90CTM 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,007.59128
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FQB8N90CTM 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQB8N90CTM 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQB8N90CTM가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FQB8N90CTM 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FQB8N90CTM 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FQB8N90CTM
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQB8N90C
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)900V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.9옴 @ 3.15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs45nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2080pF @ 25V
전력 - 최대171W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름FQB8N90CTMTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQB8N90CTM
관련 링크FQB8N9, FQB8N90CTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FQB8N90CTM 의 관련 제품
25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTV-25.000MHZ-XC-E.pdf
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP IRFIBC40GLCPBF.pdf
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 48-VFQFN Exposed Pad EFR32BG1V132F128GM48-B0R.pdf
DSD17-12A BBC DO-4 DSD17-12A.pdf
LT4245CUHF LINEAR QFN38 LT4245CUHF.pdf
9859937140440 kontec-comatel SMD or Through Hole 9859937140440.pdf
KHC160E156M43N0T00 NICHICON SMD or Through Hole KHC160E156M43N0T00.pdf
R82DC3220DQ60M arcotronics SMD or Through Hole R82DC3220DQ60M.pdf
LED G4 ORIGINAL SMD or Through Hole LED G4.pdf
AD7411ARQZ-REEL AD SSOP AD7411ARQZ-REEL.pdf
TLV2271 TI SOT23-5 TLV2271.pdf