창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB7P20TM_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB7P20TM_F085 | |
비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
주요제품 | One-Stop Automotive Shop | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 690m옴 @ 3.65A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263-2 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB7P20TM_F085-ND FQB7P20TM_F085TR FQB7P20TMF085 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB7P20TM_F085 | |
관련 링크 | FQB7P20T, FQB7P20TM_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RMCF1206JT1M60 | RES SMD 1.6M OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT1M60.pdf | |
![]() | CMF5020K000JNEA | RES 20K OHM 1/4W 5% AXIAL | CMF5020K000JNEA.pdf | |
![]() | IDT71V3577S80PF | IDT71V3577S80PF IDT SMD or Through Hole | IDT71V3577S80PF.pdf | |
![]() | M34350N6-562 | M34350N6-562 MIT DIP | M34350N6-562.pdf | |
![]() | ADP3605 | ADP3605 AD TSSOP | ADP3605.pdf | |
![]() | 15SRB8-X | 15SRB8-X Corcom SMD or Through Hole | 15SRB8-X.pdf | |
![]() | STR16N05L | STR16N05L har SMD or Through Hole | STR16N05L.pdf | |
![]() | MR6720 | MR6720 MARS TO-220 | MR6720.pdf | |
![]() | AX2123UOC | AX2123UOC SuperBright 2010 | AX2123UOC.pdf | |
![]() | RF5651ANP | RF5651ANP ORIGINAL DIP | RF5651ANP.pdf | |
![]() | KS58530E | KS58530E SAMSUNG DIP | KS58530E.pdf |