Fairchild Semiconductor FQB5N60CTM_WS

FQB5N60CTM_WS
제조업체 부품 번호
FQB5N60CTM_WS
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 4.5A
데이터 시트 다운로드
다운로드
FQB5N60CTM_WS 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 587.11910
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FQB5N60CTM_WS 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQB5N60CTM_WS 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQB5N60CTM_WS가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FQB5N60CTM_WS 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FQB5N60CTM_WS 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FQB5N60CTM_WS
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQB5N60CTM_WS
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.5옴 @ 2.25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs19nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds670pF @ 25V
전력 - 최대100W
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름FQB5N60CTM_WSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQB5N60CTM_WS
관련 링크FQB5N60, FQB5N60CTM_WS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FQB5N60CTM_WS 의 관련 제품
VARISTOR 150V 1.75KA DISC 7MM V07P95P.pdf
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 SI2315BDS-T1-GE3.pdf
RES SMD 86.6KOHM 0.05% 1/8W 0805 RT0805WRE0786K6L.pdf
343S0284 IBM BGA 343S0284.pdf
LL1H475M05011PA180 SAMWHA SMD or Through Hole LL1H475M05011PA180.pdf
ADDAC87-CBI-I/883 AD DIP ADDAC87-CBI-I/883.pdf
ISL6426CVZ INTERSIL SMD or Through Hole ISL6426CVZ.pdf
DZ-100198 ORIGINAL SMD or Through Hole DZ-100198.pdf
2.5-10PE250 ORIGINAL SMD or Through Hole 2.5-10PE250.pdf
M3003R-343 SANYO QFP M3003R-343.pdf
SC-A1421-4.096 ORIGINAL SMD SC-A1421-4.096.pdf
ICS9248CF-199 (ICS). ICS TSSOP48 ICS9248CF-199 (ICS)..pdf