창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQB11P06TM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQB11P06 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 175m옴 @ 5.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FQB11P06TM-ND FQB11P06TMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQB11P06TM | |
| 관련 링크 | FQB11P, FQB11P06TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 744272121 | 120µH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 460 Ohm @ 100kHz 2.5A DCR 25 mOhm | 744272121.pdf | |
![]() | M2V64S20BTP | M2V64S20BTP MITSUBISHI SMD or Through Hole | M2V64S20BTP.pdf | |
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![]() | JM38510/34501BDA | JM38510/34501BDA M SOP | JM38510/34501BDA.pdf | |
![]() | NIN-PA3R3MTRF | NIN-PA3R3MTRF NIC SMD | NIN-PA3R3MTRF.pdf | |
![]() | BA1474IF | BA1474IF ROHM SMD | BA1474IF.pdf | |
![]() | C3225X7R2E224M | C3225X7R2E224M TDK SMD or Through Hole | C3225X7R2E224M.pdf | |
![]() | 686M10CH | 686M10CH AVX SMD or Through Hole | 686M10CH.pdf |