창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA55N25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA55N25 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 27.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA55N25 | |
관련 링크 | FQA5, FQA55N25 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SIT3808AI-D-33EG | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Enable/Disable | SIT3808AI-D-33EG.pdf | ||
Y010160R0000F9L | RES 60 OHM 1W 1% RADIAL | Y010160R0000F9L.pdf | ||
RJSE1-0363-R | RJSE1-0363-R Delta CONNECTOR JACK PLUG | RJSE1-0363-R.pdf | ||
17-21/G6C-A | 17-21/G6C-A ORIGINAL SMD or Through Hole | 17-21/G6C-A.pdf | ||
PCT3150R12A4 | PCT3150R12A4 SOC SMD or Through Hole | PCT3150R12A4.pdf | ||
X45HY-03. | X45HY-03. MIT SIP16 | X45HY-03..pdf | ||
74AHCT1G126DBVTE4 | 74AHCT1G126DBVTE4 TI SOT23-5 | 74AHCT1G126DBVTE4.pdf | ||
MUR120-BP | MUR120-BP GD SMD or Through Hole | MUR120-BP.pdf | ||
809154A | 809154A NA QFN48 | 809154A.pdf | ||
HCB2012KF-420T40 | HCB2012KF-420T40 ORIGINAL SMD or Through Hole | HCB2012KF-420T40.pdf | ||
VG033CPXT-10K | VG033CPXT-10K HOKURIKU 3X3 | VG033CPXT-10K.pdf |