창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA32N20C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA32N20C | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 204W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA32N20C | |
관련 링크 | FQA32, FQA32N20C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | TCSVS0J107KCAR | TCSVS0J107KCAR SAMSUNG SMD | TCSVS0J107KCAR.pdf | |
![]() | A29L160AUV70F | A29L160AUV70F AMIC TSOP-48 | A29L160AUV70F.pdf | |
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![]() | C1206T470J5GCL | C1206T470J5GCL KEMET SMD or Through Hole | C1206T470J5GCL.pdf | |
![]() | ES4627M-FLF-08BASE | ES4627M-FLF-08BASE TIMSON SMD or Through Hole | ES4627M-FLF-08BASE.pdf | |
![]() | 2N60L-A TO-220 | 2N60L-A TO-220 UTC SMD or Through Hole | 2N60L-A TO-220.pdf | |
![]() | V23990-P580-A41-PM | V23990-P580-A41-PM AMPM/ACom SMD or Through Hole | V23990-P580-A41-PM.pdf |