창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA27N25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA27N25 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 210W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA27N25 | |
관련 링크 | FQA2, FQA27N25 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
PAT0603E2322BST1 | RES SMD 23.2KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2322BST1.pdf | ||
H445K3BYA | RES 45.3K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H445K3BYA.pdf | ||
AT089 | AT089 ORIGINAL QFP | AT089.pdf | ||
C3-Z1.5REA22 | C3-Z1.5REA22 ORIGINAL SMD or Through Hole | C3-Z1.5REA22.pdf | ||
MN1400-TMT | MN1400-TMT PANASONI DIP | MN1400-TMT.pdf | ||
RS5RM3329B | RS5RM3329B RICOH/ SMD | RS5RM3329B.pdf | ||
UCT3142C | UCT3142C UCT DFN | UCT3142C.pdf | ||
VC5402-PGE | VC5402-PGE VIRATA QFP | VC5402-PGE.pdf | ||
S3GB-TR | S3GB-TR FAIRCHILD DO214AA | S3GB-TR.pdf | ||
BT169-600 | BT169-600 PHI SOT89 | BT169-600.pdf | ||
bcxd079 | bcxd079 CS SMD or Through Hole | bcxd079.pdf | ||
RD0J338M12016 | RD0J338M12016 samwha DIP-2 | RD0J338M12016.pdf |