창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA170N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA170N06 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 85A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA170N06 | |
관련 링크 | FQA17, FQA170N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
36DE632G040AN2A | 6300µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36DE632G040AN2A.pdf | ||
VJ2220A271KBGAT4X | 270pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A271KBGAT4X.pdf | ||
LP100F33CET | 10MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP100F33CET.pdf | ||
WW12FT2R26 | RES 2.26 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FT2R26.pdf | ||
WG9025F | WG9025F WESTCODE MODULE | WG9025F.pdf | ||
LTC3780EUH | LTC3780EUH ORIGINAL QFN | LTC3780EUH .pdf | ||
MM707C | MM707C MITSUMI TSSOP16 | MM707C.pdf | ||
STM32F103RBT6(CHINA) | STM32F103RBT6(CHINA) ST SMD or Through Hole | STM32F103RBT6(CHINA).pdf | ||
IRGIB10B60KB | IRGIB10B60KB IR TO-220F | IRGIB10B60KB.pdf | ||
RM06FTN2200 | RM06FTN2200 TA-I SMD or Through Hole | RM06FTN2200.pdf | ||
M5N5165P-10 | M5N5165P-10 MIT DIP | M5N5165P-10.pdf |