창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA160N08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA160N08 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA160N08 | |
관련 링크 | FQA16, FQA160N08 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 0603ZC273JAT2A | 0.027µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603ZC273JAT2A.pdf | |
![]() | 1206AC562KAT1A | 5600pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206AC562KAT1A.pdf | |
![]() | RS01047R00FS73 | RES 47 OHM 10W 1% WW AXIAL | RS01047R00FS73.pdf | |
![]() | 2SC3583Q | 2SC3583Q NEC SMD or Through Hole | 2SC3583Q.pdf | |
![]() | ICS9111-01 | ICS9111-01 ORIGINAL SOP8 | ICS9111-01.pdf | |
![]() | P7523 | P7523 ORIGINAL SOP8 | P7523.pdf | |
![]() | 2SC0535T2A0-33 | 2SC0535T2A0-33 INFINEON SMD or Through Hole | 2SC0535T2A0-33.pdf | |
![]() | 2SA1664 RY | 2SA1664 RY ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA1664 RY.pdf | |
![]() | SM0204800H18F3H0Z800 | SM0204800H18F3H0Z800 KNAPP SMD or Through Hole | SM0204800H18F3H0Z800.pdf | |
![]() | NCV8501D80G | NCV8501D80G ON SOP-8 | NCV8501D80G.pdf | |
![]() | HDB1212 | HDB1212 SDG N A | HDB1212.pdf |