창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FODM452R2V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FODM452-53 | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 3750Vrms | |
| 전류 전달비(최소) | 20% @ 16mA | |
| 전류 전달비(최대) | 50% @ 16mA | |
| 턴온/턴오프(통상) | 400ns, 350ns | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | 트랜지스터 | |
| 전압 - 출력(최대) | 20V | |
| 전류 - 출력/채널 | 8mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.6V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 25mA | |
| Vce 포화(최대) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭, 5 리드) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-Mini-Flat | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FODM452R2V-ND FODM452R2V_NL FODM452R2V_NL-ND FODM452R2VFS FODM452R2VFS-ND FODM452R2VTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FODM452R2V | |
| 관련 링크 | FODM45, FODM452R2V 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 8532R-18J | 27µH Unshielded Inductor 2.25A 70 mOhm Max 2-SMD | 8532R-18J.pdf | |
![]() | RG2012P-3572-D-T5 | RES SMD 35.7K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-3572-D-T5.pdf | |
![]() | SM2615JT130R | RES SMD 130 OHM 5% 1W 2615 | SM2615JT130R.pdf | |
![]() | 4114R-1-274 | RES ARRAY 7 RES 270K OHM 14DIP | 4114R-1-274.pdf | |
![]() | 4814P-3-262/362 | RES NTWRK 24 RES MULT OHM 14SOIC | 4814P-3-262/362.pdf | |
![]() | U6052B | U6052B TFK SOP | U6052B.pdf | |
![]() | MB89677ARPFG154BND | MB89677ARPFG154BND FUJITSU SMD or Through Hole | MB89677ARPFG154BND.pdf | |
![]() | 58TI JBR | 58TI JBR N/A MSOP10 | 58TI JBR.pdf | |
![]() | N82F129F | N82F129F PHI PDIP | N82F129F.pdf | |
![]() | CS18LV40965LI-70 | CS18LV40965LI-70 CHIPLUS DIP-32 | CS18LV40965LI-70.pdf | |
![]() | TCD31E2A684M | TCD31E2A684M NIPPON-UNITED DIP | TCD31E2A684M.pdf | |
![]() | SHC-4R5M | SHC-4R5M PREMO SMD | SHC-4R5M.pdf |