창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FESB8FTHE3/45 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FES(F,B)8AT - 8JT Packaging Information | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 300V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 300V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FESB8FTHE3/45 | |
관련 링크 | FESB8FT, FESB8FTHE3/45 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GRM219R61E106KA12J | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM219R61E106KA12J.pdf | ||
1623/CHIP | 1623/CHIP HT SMD or Through Hole | 1623/CHIP.pdf | ||
LH5S4R14 | LH5S4R14 SHARP DIP-32 | LH5S4R14.pdf | ||
TLV320AC41IPT | TLV320AC41IPT TI QFP | TLV320AC41IPT.pdf | ||
LT6011AI | LT6011AI LT SMD | LT6011AI.pdf | ||
D882SSG-P-AE3-R | D882SSG-P-AE3-R UTC SOT-23 | D882SSG-P-AE3-R.pdf | ||
MAX9930EUA | MAX9930EUA MAXIM MSOP | MAX9930EUA.pdf | ||
PCA80C552-5-16WP | PCA80C552-5-16WP PHILIPS PLCC68 | PCA80C552-5-16WP.pdf | ||
R66MD2100CK7AK | R66MD2100CK7AK KEMET SMD or Through Hole | R66MD2100CK7AK.pdf | ||
LNW2V182MSMF | LNW2V182MSMF NICHICON SMD or Through Hole | LNW2V182MSMF.pdf | ||
IRKT135-16 | IRKT135-16 IR SMD or Through Hole | IRKT135-16.pdf |