창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDT457N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDT457N MA04A Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.9nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 235pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FDT457N-ND FDT457NTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDT457N | |
관련 링크 | FDT4, FDT457N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ1825A182JBLAT4X | 1800pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A182JBLAT4X.pdf | ||
1N6079 | DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL | 1N6079.pdf | ||
CMF5536K500BEEA70 | RES 36.5K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5536K500BEEA70.pdf | ||
OPB880T55Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU | OPB880T55Z.pdf | ||
SML-T13FTT86 | SML-T13FTT86 ROHM 0603LED | SML-T13FTT86.pdf | ||
AS73256-12JC | AS73256-12JC ALLIANCE SOJ-28 | AS73256-12JC.pdf | ||
GAL22V10LJ | GAL22V10LJ LATTICE PLCC | GAL22V10LJ.pdf | ||
GT50F321 | GT50F321 TOSHIBA TO-3P | GT50F321.pdf | ||
C3-Z1.2R(10)-T | C3-Z1.2R(10)-T MITSUMI SMD or Through Hole | C3-Z1.2R(10)-T.pdf | ||
JQX-102F-12 | JQX-102F-12 N SMD or Through Hole | JQX-102F-12.pdf | ||
BC368 TO-92 | BC368 TO-92 CJ SMD or Through Hole | BC368 TO-92.pdf | ||
RJ5-16V103MJ8 | RJ5-16V103MJ8 ELNA DIP | RJ5-16V103MJ8.pdf |