창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDT434P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDT434P MA04A Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1187pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FDT434P-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDT434P | |
관련 링크 | FDT4, FDT434P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GRM1885C1H102JA01D | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H102JA01D.pdf | |
![]() | 199D106X9016C2B1E3 | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V Radial 0.217" Dia (5.50mm) | 199D106X9016C2B1E3.pdf | |
![]() | BCR108WH6327XTSA1 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 | BCR108WH6327XTSA1.pdf | |
![]() | OM1815E-R58 | RES 180 OHM 1W 5% AXIAL | OM1815E-R58.pdf | |
![]() | IRF253 | IRF253 IOR SMD or Through Hole | IRF253.pdf | |
![]() | ACA3216M4-060-T 0603*4 8P4R | ACA3216M4-060-T 0603*4 8P4R TDK 12064K | ACA3216M4-060-T 0603*4 8P4R.pdf | |
![]() | PW115-10Q | PW115-10Q PIXELWORKS SMD or Through Hole | PW115-10Q.pdf | |
![]() | MFS200A | MFS200A GUERTE SMD or Through Hole | MFS200A.pdf | |
![]() | AP1290 | AP1290 RFIC QFN16 | AP1290.pdf | |
![]() | RC2512FK-07140R | RC2512FK-07140R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2512FK-07140R.pdf | |
![]() | SN74LS06DRG4 | SN74LS06DRG4 TEXAS SOIC | SN74LS06DRG4.pdf |