창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS86242 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS86242 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 4.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS86242TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS86242 | |
| 관련 링크 | FDS8, FDS86242 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0603D201GXAAT | 200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D201GXAAT.pdf | |
![]() | 9400300000 | GDT 90V 5KA DIN RAIL | 9400300000.pdf | |
![]() | RT0805WRE0747K5L | RES SMD 47.5KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0747K5L.pdf | |
![]() | RG1005V-2671-B-T5 | RES SMD 2.67KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005V-2671-B-T5.pdf | |
![]() | M53321 | M53321 ORIGINAL SMD or Through Hole | M53321.pdf | |
![]() | NCP303LSN25T1G | NCP303LSN25T1G ONSEMI SOT23-5 | NCP303LSN25T1G.pdf | |
![]() | MN1921422BCB1 | MN1921422BCB1 ORIGINAL TQFP | MN1921422BCB1.pdf | |
![]() | 90.3168M | 90.3168M KSS SMD or Through Hole | 90.3168M.pdf | |
![]() | npis65l330mtrf | npis65l330mtrf nic SMD or Through Hole | npis65l330mtrf.pdf | |
![]() | SL525B | SL525B GPS CAN8 | SL525B.pdf | |
![]() | UPD444C | UPD444C NEC SMD or Through Hole | UPD444C.pdf |