창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6930A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6930A | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 460pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6930ATR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6930A | |
| 관련 링크 | FDS6, FDS6930A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D102GLXAT | 1000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D102GLXAT.pdf | |
![]() | HFS-3/M | HFS-3/M DIAMOND SMD or Through Hole | HFS-3/M.pdf | |
![]() | TC86R4600-120 | TC86R4600-120 TOSHIBA PGA | TC86R4600-120.pdf | |
![]() | Z80B-SIO/2 | Z80B-SIO/2 SHARP DIP | Z80B-SIO/2.pdf | |
![]() | STBB536 | STBB536 EIC SMA | STBB536.pdf | |
![]() | PS385ESE | PS385ESE PERICOM SOP16 | PS385ESE.pdf | |
![]() | S486L | S486L UTC SOP8 | S486L.pdf | |
![]() | SAFC513AO-2RM | SAFC513AO-2RM SIEMENS SMD or Through Hole | SAFC513AO-2RM.pdf | |
![]() | 607-3232-130 | 607-3232-130 DIALIGHT SMD or Through Hole | 607-3232-130.pdf | |
![]() | NF-7025-430-N-A3 | NF-7025-430-N-A3 NVIDIA BGA | NF-7025-430-N-A3.pdf | |
![]() | EH-614A | EH-614A KEYENCE SMD or Through Hole | EH-614A.pdf |