창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6930A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS6930A | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 460pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6930ATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS6930A | |
관련 링크 | FDS6, FDS6930A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CL32B106KPINFNE | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CL32B106KPINFNE.pdf | |
![]() | ERJ-1GEJ335C | RES SMD 3.3M OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GEJ335C.pdf | |
![]() | CMF0712K000GKEK | RES 12K OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF0712K000GKEK.pdf | |
![]() | ACG | ACG ORIGINAL 3 SC-70 | ACG.pdf | |
![]() | 609-34014ES | 609-34014ES Tyco con | 609-34014ES.pdf | |
![]() | TNETD7112APAP | TNETD7112APAP TI NA | TNETD7112APAP.pdf | |
![]() | 61LV6416-10KLI | 61LV6416-10KLI ISS SMD or Through Hole | 61LV6416-10KLI.pdf | |
![]() | 253247120 | 253247120 SYM SMD or Through Hole | 253247120.pdf | |
![]() | 4070L3BJR | 4070L3BJR Delevan SMD or Through Hole | 4070L3BJR.pdf | |
![]() | 39-51-4222 | 39-51-4222 MOLEX ORIGINAL | 39-51-4222.pdf |