창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6898AZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6898AZ | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 9.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1821pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6898AZ-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6898AZ | |
| 관련 링크 | FDS68, FDS6898AZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B2C0G1H391J050BD | 390pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2C0G1H391J050BD.pdf | |
![]() | RC2012J622CS | RES SMD 6.2K OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J622CS.pdf | |
![]() | CRGH2010J620R | RES SMD 620 OHM 5% 1W 2010 | CRGH2010J620R.pdf | |
![]() | AT0603CRD072K55L | RES SMD 2.55K OHM 1/10W 0603 | AT0603CRD072K55L.pdf | |
![]() | DVC5420GGV | DVC5420GGV ORIGINAL BGA QFN | DVC5420GGV.pdf | |
![]() | ATTINY25-20SH | ATTINY25-20SH ATMEL SOP-8( ) | ATTINY25-20SH.pdf | |
![]() | KM2306 | KM2306 kingwell SOT-89 | KM2306.pdf | |
![]() | BAS21LT1GOSCT | BAS21LT1GOSCT on SMD or Through Hole | BAS21LT1GOSCT.pdf | |
![]() | M51436AP | M51436AP ORIGINAL SMD or Through Hole | M51436AP.pdf | |
![]() | DE-A274B-A1 | DE-A274B-A1 BGA DIGITAL | DE-A274B-A1.pdf | |
![]() | BA534 | BA534 ROHM ZIP | BA534.pdf |