창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS5672 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS5672 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS5672-ND FDS5672TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS5672 | |
관련 링크 | FDS5, FDS5672 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C0805C122F5GALTU | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C122F5GALTU.pdf | |
![]() | MUR5060 | DIODE GEN PURP 600V 50A DO5 | MUR5060.pdf | |
![]() | TX2-L-9V-1 | TX2 RELAY | TX2-L-9V-1.pdf | |
![]() | 8PM-11-0004-02-131191 | 8PM-11-0004-02-131191 PRECIDIP SMD or Through Hole | 8PM-11-0004-02-131191.pdf | |
![]() | AK8817 | AK8817 AKM BGA41 | AK8817.pdf | |
![]() | DS36277M | DS36277M NSC SOP-8 | DS36277M.pdf | |
![]() | ZX05-11X-SMA+ | ZX05-11X-SMA+ MINI SMD or Through Hole | ZX05-11X-SMA+.pdf | |
![]() | MC-306 32.768K-A | MC-306 32.768K-A EPSON SMD or Through Hole | MC-306 32.768K-A.pdf | |
![]() | N-16410BA4S74RM | N-16410BA4S74RM LUCENT BGA | N-16410BA4S74RM.pdf | |
![]() | S1C8F626F10M000 | S1C8F626F10M000 SEIKO TQFP216 | S1C8F626F10M000.pdf | |
![]() | MST9E19A-LF. | MST9E19A-LF. MSTAR QFP | MST9E19A-LF..pdf | |
![]() | FAN6413 | FAN6413 FDS SOP-8 | FAN6413.pdf |