창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDPF5N50NZU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP(F)5N50NZU | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET-II™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.95A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDPF5N50NZU | |
| 관련 링크 | FDPF5N, FDPF5N50NZU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TS13CF23IET | 13.56MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS13CF23IET.pdf | |
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![]() | ICS670M | ICS670M ICS SOP | ICS670M.pdf | |
![]() | LT3465ES | LT3465ES LT SOT-23 | LT3465ES.pdf | |
![]() | FBR211NAD024-M | FBR211NAD024-M TAKAMISAWA SMD or Through Hole | FBR211NAD024-M.pdf |