창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDPF10N60ZUT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP(F)10N60ZU(T) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1980pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDPF10N60ZUT | |
| 관련 링크 | FDPF10N, FDPF10N60ZUT 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BFC236926154 | 0.15µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.154" W (12.50mm x 3.90mm) | BFC236926154.pdf | |
| 784771047 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 6.2A 17.5 mOhm Max Nonstandard | 784771047.pdf | ||
![]() | PG0063.102NLT | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 3.5A 22 mOhm Max Nonstandard | PG0063.102NLT.pdf | |
![]() | CMF072R7000GNEB | RES 2.7 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF072R7000GNEB.pdf | |
![]() | TLP320-2GB | TLP320-2GB TOSHIBA DIPSOP | TLP320-2GB.pdf | |
![]() | GT50G327 | GT50G327 TOSHIBA TO-3PL | GT50G327.pdf | |
![]() | bako-p5 | bako-p5 ORIGINAL SMD or Through Hole | bako-p5.pdf | |
![]() | LTL1CHTBK5-041 | LTL1CHTBK5-041 LITEON ROHS | LTL1CHTBK5-041.pdf | |
![]() | DM7035G | DM7035G METHODE SMD or Through Hole | DM7035G.pdf | |
![]() | MX29F040C-90 | MX29F040C-90 MX DIP | MX29F040C-90.pdf | |
![]() | LU55278 | LU55278 SHARP DIP64 | LU55278.pdf | |
![]() | AP1184K518LA | AP1184K518LA AC TO263 | AP1184K518LA.pdf |