창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP8N50NZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP(F)8N50NZ(T) TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 735pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP8N50NZ | |
| 관련 링크 | FDP8N, FDP8N50NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D3R6BLBAP | 3.6pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R6BLBAP.pdf | |
![]() | AC0402FR-075K1L | RES SMD 5.1K OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-075K1L.pdf | |
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![]() | AD8674BRZ | AD8674BRZ ADI SOP | AD8674BRZ.pdf | |
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![]() | 6A08 P600K | 6A08 P600K MIC R-6 | 6A08 P600K.pdf | |
![]() | MBR5035WT | MBR5035WT ON TO-247 | MBR5035WT.pdf | |
![]() | T6W05BN-0003 | T6W05BN-0003 STAR DIP64 | T6W05BN-0003.pdf | |
![]() | CF32210A | CF32210A TI DIP40 | CF32210A.pdf | |
![]() | MMG1502-EBC | MMG1502-EBC ORIGINAL TO-92 | MMG1502-EBC.pdf | |
![]() | ADG739BRUZ-REEL7 | ADG739BRUZ-REEL7 ADI SMD or Through Hole | ADG739BRUZ-REEL7.pdf |