창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP75N08A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP75N08 TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 37.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4468pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 137W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP75N08A | |
| 관련 링크 | FDP75, FDP75N08A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PR03000205103JAC00 | RES 510K OHM 3W 5% AXIAL | PR03000205103JAC00.pdf | |
![]() | JS28F640J3D75ES | JS28F640J3D75ES INTEL TSSOP | JS28F640J3D75ES.pdf | |
![]() | 22K 1% 0402 | 22K 1% 0402 ORIGINAL SMD or Through Hole | 22K 1% 0402.pdf | |
![]() | 572D107X0010T2TE3 | 572D107X0010T2TE3 VISHAY SMD | 572D107X0010T2TE3.pdf | |
![]() | SIP-4L | SIP-4L BABCFP-E 1N4007 M7 | SIP-4L.pdf | |
![]() | 070XF01 | 070XF01 SHARP TO220-4F | 070XF01.pdf | |
![]() | PN202-S-R | PN202-S-R MATSUSHITA TR | PN202-S-R.pdf | |
![]() | 24LC08B1/SN | 24LC08B1/SN MOT SOP8 | 24LC08B1/SN.pdf | |
![]() | CM6317A | CM6317A ORIGINAL SMD or Through Hole | CM6317A.pdf | |
![]() | 2510771 | 2510771 ASL SMD or Through Hole | 2510771.pdf | |
![]() | HGTP10N50C1D | HGTP10N50C1D HARRIS TO-220 | HGTP10N50C1D.pdf | |
![]() | RU6656ML(UC2056B) | RU6656ML(UC2056B) RICOH NA | RU6656ML(UC2056B).pdf |