창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP33N25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP33N25 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 94m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2135pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 235W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP33N25 | |
관련 링크 | FDP3, FDP33N25 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM1555C1E3R3CA01D | 3.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E3R3CA01D.pdf | ||
893D476X0010D2TE3 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 893D476X0010D2TE3.pdf | ||
SIT8208AC-8F-33S-50.000000Y | OSC XO 3.3V 50MHZ ST | SIT8208AC-8F-33S-50.000000Y.pdf | ||
HN1D04FUTE85LF | DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6 | HN1D04FUTE85LF.pdf | ||
AA0402FR-07133KL | RES SMD 133K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-07133KL.pdf | ||
NFR2500004708JR500 | RES 4.7 OHM 1/3W 5% AXIAL | NFR2500004708JR500.pdf | ||
GT4410SC | GT4410SC GT SOP8 | GT4410SC.pdf | ||
14043B/BCAJC | 14043B/BCAJC MOT CDIP | 14043B/BCAJC.pdf | ||
RB3-10V100MD0 | RB3-10V100MD0 ELNA DIP | RB3-10V100MD0.pdf | ||
STV7693CP | STV7693CP ST QFP | STV7693CP.pdf | ||
H11N2SR2 | H11N2SR2 ORIGINAL SMD or Through Hole | H11N2SR2.pdf | ||
ELM9721NBA/C1A0 | ELM9721NBA/C1A0 ELM SOT-23 | ELM9721NBA/C1A0.pdf |