창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP26N40 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP26N40, FDPF26N40 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3185pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 265W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP26N40 | |
관련 링크 | FDP2, FDP26N40 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | RP73PF1J21R5BTDF | RES SMD 21.5 OHM 0.1% 1/6W 0603 | RP73PF1J21R5BTDF.pdf | |
![]() | CA3086/ | CA3086/ HARRIS B | CA3086/.pdf | |
![]() | ULN2803AF | ULN2803AF TOSHIBA SOP-18 | ULN2803AF.pdf | |
![]() | 342105-1 | 342105-1 TYCO SMD or Through Hole | 342105-1.pdf | |
![]() | 2060AS3 | 2060AS3 ORIGINAL c | 2060AS3.pdf | |
![]() | MN6740VCJR | MN6740VCJR ORIGINAL SMD or Through Hole | MN6740VCJR.pdf | |
![]() | MC68HC11D0FB | MC68HC11D0FB MOT QFP | MC68HC11D0FB.pdf | |
![]() | RL735A-1 | RL735A-1 TOS SMD or Through Hole | RL735A-1.pdf | |
![]() | HM1L52ADP000H6PLF | HM1L52ADP000H6PLF FCIELECTRONICS SMD or Through Hole | HM1L52ADP000H6PLF.pdf | |
![]() | MAX3659ETG | MAX3659ETG MAXIM QFN24 | MAX3659ETG.pdf |