창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP2614 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP2614 TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 31A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 99nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7230pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 260W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FDP2614-ND FDP2614FS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP2614 | |
| 관련 링크 | FDP2, FDP2614 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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| AOT410L | MOSFET N-CH 100V 150A TO-220 | AOT410L.pdf | ||
![]() | 2727R-22F | 560µH Unshielded Toroidal Inductor 77mA 32 Ohm Max Radial | 2727R-22F.pdf | |
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![]() | RA30LASB102A | RA30LASB102A HONEYWELL SMD or Through Hole | RA30LASB102A.pdf | |
![]() | STC89C54RD+ -40I-PDIP | STC89C54RD+ -40I-PDIP STC DIP | STC89C54RD+ -40I-PDIP.pdf | |
![]() | INA332AIDGKR(B32) | INA332AIDGKR(B32) BB SSOP-8P | INA332AIDGKR(B32).pdf | |
![]() | PC552201FB | PC552201FB FREESCALE BGA | PC552201FB.pdf | |
![]() | G965-25ADJP1UF | G965-25ADJP1UF GMT SOP-8 | G965-25ADJP1UF.pdf | |
![]() | LM157AH/883B | LM157AH/883B NS SMD or Through Hole | LM157AH/883B.pdf |